在電磁大炒爐中，IGBT是一種具有很大份額的損害。當(dāng)未發(fā)現(xiàn)故障原因時(shí)，將對(duì)機(jī)器進(jìn)行測(cè)試，這將造成IGBT損壞。在電磁大炒爐的維護(hù)中，終止不當(dāng)后，總結(jié)了電磁大炒爐的八個(gè)原因。

原因1。當(dāng)0.3uf電容器失效或發(fā)生泄漏，400V電容容量變小時(shí)，電磁大炒爐和LC振蕩電路的頻率將較高

這將導(dǎo)致IGBT損壞。當(dāng)其他部件無(wú)問(wèn)題時(shí)，更換0.3uf和400V電容器。

原因2。IGBT管勵(lì)磁電路異常，

振蕩電路輸出的脈沖信號(hào)不能直接控制IGBT的飽和度，但必須通過(guò)激勵(lì)脈沖信號(hào)進(jìn)行放大。如果勵(lì)磁信號(hào)有問(wèn)題，則將高電壓加回IGBT管g級(jí)，導(dǎo)致IGBT瞬時(shí)擊穿和損壞。普通驅(qū)動(dòng)管s8050和s8550。

原因3。同步電路出現(xiàn)異常。電磁大炒爐中同步電路的主要功能是確保添加到IGBT管G電平上的開(kāi)關(guān)脈沖與IGBT管上的VCE脈沖同步。當(dāng)同步電路的工作方式不同時(shí)，IGBT管會(huì)瞬間發(fā)生故障。

原因4。18V工作電壓異常。當(dāng)電磁大炒爐中出現(xiàn)18V電壓時(shí)，IGBT管勵(lì)磁回路、風(fēng)扇冷卻系統(tǒng)和LM339工作異常，通電時(shí)IGBT瞬時(shí)損壞。

原因5。冷卻系統(tǒng)異常。當(dāng)電磁大炒爐在高電流條件下工作時(shí)，其熱值也較大。如果散熱系統(tǒng)異常，IGBT將會(huì)過(guò)熱和損壞。

原因6。單片機(jī)出現(xiàn)異常。由于單片機(jī)內(nèi)部工作頻率異常，IGBT。

原因7。VCE檢測(cè)電路異常。VCE檢測(cè)電磁大炒爐通過(guò)電極偏電壓和采樣傳遞到IGBT集電器上的脈沖電壓，獲得de=采樣電壓。該電壓的信息變化被傳輸?shù)?/span>CPU。CPU監(jiān)控電壓的變化，并做出各種相應(yīng)的指令。當(dāng)VCE檢測(cè)電路發(fā)生故障時(shí)，VEC脈沖振幅。超過(guò)IGBT管的限值，導(dǎo)致IGBT損壞。用戶罐變形，或罐低、不均勻，罐內(nèi)產(chǎn)生的渦流不能均勻加熱變形鍋，導(dǎo)致罐溫度傳感器和溫度檢測(cè)異常。CPU因無(wú)法檢測(cè)到溫度異常信號(hào)而繼續(xù)加熱，導(dǎo)致IGBT損壞。